类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

Maximum Drain Source Resistance (MOhm)

厂商

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

类型

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

HTS代码

子类别

技术

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

额定电流

引脚数量

参考标准

JESD-30代码

资历状况

极性

配置

通道数量

操作模式

功率耗散

箱体转运

功率 - 最大

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

产品类别

连续放电电流(ID)

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

输入电容

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

场效应管特性

漏源电阻

通态电阻

产品类别

直径

辐射硬化

无铅

BSS84AKMB,315
BSS84AKMB,315
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8541.29.00.95

有

Unknown

Unknown

小信号

TMOS

Enhancement

1

50

20

2.1

0.23

10000

1

7500@10V

0.26@5V

24@25V

715

25

11

48

13

-55

150

表面贴装

0.36(Max)

DFN-B

3

1

0.6

Compliant

EAR99

卷带

活跃

3

Single

P

BSC884N03MSGATMA1
BSC884N03MSGATMA1
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4.5@10V

EAR99

符合免除

2500

7.2

6.8

16

13

-55

150

表面贴装

1

5.9

5.15

8

SON

TDSON EP

No Lead

2700@15V

[email protected]

17

±20

30

1

Enhancement

OptiMOS

功率MOSFET

无

无

卷带

Obsolete

8

单四漏三源

N

BSS192PE6327NT
BSS192PE6327NT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4

Unknown

小信号

Enhancement

1

250

±20

0.19

12000@10V

4.9@10V

4.9

83@25V

1000

50

5.2

72

4.7

-55

150

表面贴装

1.5

2.5

4.5

3

Tab

SOT

SOT-89

Flat

Non-Compliant

不合规

EAR99

8541.21.00.95

有

卷带

Obsolete

4

单排双泄

P

DIT100N10
DIT100N10
Diodes Incorporated 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

100

±20

4

100

100

1

13@10V

85@10V

85

4800@50V

200000

55

50

40

15

-55

175

Commercial

通孔

8.7

4.5

10.1

3

Tab

TO-220AB

Tube

活跃

3

Single

N

DIT120N08
DIT120N08
Diodes Incorporated 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

80

±20

120

6@10V

163@10V

163

6500@25V

220000

39

24

91

26

-55

175

Commercial

通孔

8.7

4.5

10.1

3

Tab

TO-220AB

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

Tube

活跃

3

Single

N

MTP3055E
MTP3055E
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

150@10V

65(Max)

60(Max)

65(Max)

20(Max)

-65

150

通孔

3

Tab

TO-220

TO-220AB

不合规

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

60

±20

12

12@10V

12

500(Max)@25V

40000

Obsolete

3

Single

N

DIT195N08
DIT195N08
Diodes Incorporated 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Enhancement

1

85

±20

195

4.95@10V

140@10V

140

7600@25V

300000

78

124

84

23

-55

150

Commercial

通孔

8.7

4.5

10.1

3

Tab

TO-220AB

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

Cardboard|Tube

活跃

3

Single

N

BSC079N03SGXT
BSC079N03SGXT
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8

7.9@10V

±20

14.6

13@5V

1680@15V

2800

No Lead

TDSON EP

SON

8

5.15

5.9

1

表面贴装

150

-55

5.1

21

4.2

3.4

1

30 V

Compliant

Compliant

EAR99

无

无

功率MOSFET

OptiMOS

Enhancement

1

30

卷带

Obsolete

150 °C

-55 °C

40 A

8

单四漏三源

2.8 W

4.2 ns

30 V

14.6 A

20 V

1.68 nF

N

无铅

DIT150N03
DIT150N03
Diodes Incorporated 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

3@10V

Commercial

175

-55

26

91

24

39

130000

5000@25V

38

38@10V

150

±20

30

1

Enhancement

功率MOSFET

无

无

有

8541.29.00.95

EAR99

符合免除

通孔

8.7

4.5

10.1

3

Tab

TO-220AB

Tube

活跃

3

Single

N

SP000880732
SP000880732
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

符合免除

无

无

250

750000

活跃

JANTX2N6796
JANTX2N6796
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 years ago)

通孔

3

195@10V

8

28.5(Max)@10V

28.5(Max)

650@25V

25000

45(Max)

75(Max)

40(Max)

30(Max)

-55

150

Military

通孔

4.54(Max)

3

TO-205-AF

TO-39

通孔

1

Compliant

不合规

EAR99

8541.29.00.95

无

无

功率MOSFET

HEXFET

Enhancement

1

100

±20

Bulk

活跃

150 °C

-55 °C

3

Single

25 W

100 V

5 A

20 V

100 V

N

180 mΩ

200 mΩ

9.22(Max)

无

含铅

DIT095N08
DIT095N08
Diodes Incorporated 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8@10V

Enhancement

1

80

±20

95

109@10V

109

6800@25V

170000

15

12

56

18

-55

175

Commercial

通孔

8.7

4.5

10.1

3

Tab

TO-220AB

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

无

无

功率MOSFET

Tube

活跃

3

Single

N

MMD60R580PBRH
MMD60R580PBRH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

580@10V

-55C to 150C

±30(V)

1

无

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

Non-Compliant

,

MMD60R580PBRH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

1.5

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

Enhancement

1

600

±30

8

18@10V

18

575@25V

70000

25

34

48

DPAK

Tab

2

6.73(Max)

6.1

2.39(Max)

表面贴装

150

-55

14

8(A)

600(V)

Military

DPAK

卷带

活跃

功率MOSFET

unknown

3

N

Single

70(W)

N

IXFN80N60P3
IXFN80N60P3
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

符合免除

EAR99

8541.29.00.95

有

有

无

无

功率MOSFET

HiperFET

Enhancement

1

600

±30

66

77@10V

190@10V

190

13100@25V

960000

8

25

87

48

-55

150

Screw

9.6(Max)

25.42(Max)

38.23(Max)

4

SOT

SOT-227B

Screw

活跃

4

单双源

N

JANTX2N6768
JANTX2N6768
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 years ago)

通孔

NO

2

SILICON

400@10V

无

JANTX2N6768

ROUND

Microsemi Corporation

Obsolete

MICROSEMI CORP

7.69

TO-3

14 A

通孔

TO-3

Tab

2

39.37(Max)

25.53(Max)

7.74(Max)

通孔

Military

150

-55

35(Max)

170(Max)

190(Max)

130(Max)

150000

110(Max)

110(Max)@10V

14

±20

400

1

Enhancement

功率MOSFET

无

无

8541.29.00.95

EAR99

不合规

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080

1

Compliant

FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2

FLANGE MOUNT

METAL

未说明

Bulk

e0

无

活跃

Tin/Lead (Sn/Pb)

150 °C

-55 °C

8541.29.00.95

BOTTOM

PIN/PEG

未说明

not_compliant

3

MIL-19500

O-MBFM-P2

Qualified

Single

增强型MOSFET

150 W

DRAIN

SWITCHING

400 V

N-CHANNEL

9 A

TO-204AA

20 V

0.3 Ω

400 V

56 A

400 V

N

700 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

300 mΩ

300 mΩ

无

含铅

IRFR320BTM
IRFR320BTM
ON Semiconductor 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

YES

2

SILICON

1750@10V

DPAK-3

小概要

1

PLASTIC/EPOXY

未说明

有

IRFR320BTM

RECTANGULAR

Rochester Electronics LLC

1

活跃

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

5.12

TO-252

3.1 A

符合免除

EAR99

8542.31.00.01

有

有

无

无

功率MOSFET

DMOS

Enhancement

1

400

±30

3.1

14@10V

14

460@25V

2500

35

35

35

10

-55

150

表面贴装

2.39(Max)

6.22(Max)

6.73(Max)

2

Tab

TO-252

DPAK

卷带

e3

有

Obsolete

哑光锡

SINGLE

鸥翼

260

unknown

3

R-PSSO-G2

COMMERCIAL

Single

增强型MOSFET

DRAIN

SWITCHING

N-CHANNEL

TO-252

1.75 Ω

12.4 A

400 V

N

240 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

MDIS1501TH
MDIS1501TH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

5.6@10V

,

未说明

有

MDIS1501TH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.73

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

30

±20

2.7

25.1

100

1

20.7@10V|[email protected]

20.7

1350@15V

6200

8.6

12.2

29.5

8.8

-55

150

通孔

6.22(Max)

2.39(Max)

6.73(Max)

3

Tab

TO-251

IPAK

通孔

Tube

活跃

未说明

unknown

3

Single

N

MDD1502RH
MDD1502RH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

8.5@10V

有

MDD1502RH

MagnaChip Semiconductor Ltd

活跃

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

5.73

Compliant

EAR99

8541.29.00.95

Unknown

Unknown

功率MOSFET

TMOS

Enhancement

1

30

±20

2.7

20.4

100

1

14.3@10V|[email protected]

14.3

928@15V

6200

8.1

12

22.8

7.2

-55

150

表面贴装

2.39(Max)

6.1

6.73(Max)

2

Tab

TO-252

DPAK

Gull-wing

未说明

卷带

活跃

未说明

unknown

3

Single

N

IXTP80N075L2
IXTP80N075L2
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-220-3

TO-220

-

-

80A

75 V

2.5 V

357 W

N-Channel

+ 150 C

- 20 V, + 20 V

- 55 C

通孔

103 nC

24 mOhms

80 A

符合免除

EAR99

有

有

无

无

功率MOSFET

Enhancement

1

75

±20

4.5

80

100

5

24@10V

103

3600@25V

357000

12

35

40

15

-55

150

通孔

9.15(Max)

4.83(Max)

10.66(Max)

3

Tab

活跃

Si

3

Single

1 Channel

357W

N

IXTY4N65X2-TRL
IXTY4N65X2-TRL
Littelfuse 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

TO-252-3

850 mOhms

4 A

功率MOSFET

无

无

EAR99

Compliant

Enhancement

1

650

±30

5

4

100

5

850@10V

455@25V

80000

25

28

57

22

-55

150

表面贴装

2.4(Max)

6.22(Max)

6.73(Max)

2

Tab

DPAK

650 V

3 V

80 W

N-Channel

+ 150 C

- 30 V, + 30 V

- 55 C

SMD/SMT

卷带

活跃

Si

3

Single

N

IRHNJ63C30SCS
IRHNJ63C30SCS
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

供应商未确认

出口接触方式

无

无

3.4

750000

表面贴装

2.61(Max)

10.28(Max)

7.64(Max)

3

SMD-0.5

活跃

3

N

COM-10349
COM-10349
SparkFun 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

通孔

TO-220-3

TO-220

70@10V

SparkFun Electronics

33

1100@25V

120000

90

185

30

18

-55

175

Bulk

COM-10

27A (Tc)

10V

120W (Tc)

活跃

0.073600 oz

1

SparkFun Electronics

SparkFun

Compliant

EAR99

Unknown

Unknown

功率MOSFET

DMOS

Enhancement

1

60

±25

27

33@10V

-55°C ~ 175°C (TJ)

QFET™

活跃

Supplies

MOSFET (Metal Oxide)

Single

P-Channel

70mOhm @ 13.5A, 10V

4V @ 250µA

1400 pF @ 25 V

43 nC @ 10 V

60 V

±25V

Accessories

P

-

SparkFun Accessories

JANTXVR2N7468U2
JANTXVR2N7468U2
Infineon 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

出口接触方式

无

无

活跃

AOND62930
AOND62930
Alpha and Omega Semiconductor, Inc. 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-PowerSMD, Flat Leads

8-DFN (5x6)

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

5.76

Unknown

Unknown

Tape & Reel (TR)

AOND629

4.5A (Ta), 7A (Tc)

活跃

,

AOND62930

Alpha & Omega Semiconductor

活跃

ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD

-55°C ~ 150°C (TJ)

AlphaSGT™

活跃

MOSFET (Metal Oxide)

unknown

2 N-Channel

3.5W (Ta), 7.3W (Tc)

68mOhm @ 5A, 10V

2.8V @ 250µA

415pF @ 50V

12nC @ 10V

100V

Standard

MMIS70R1K4PTH
MMIS70R1K4PTH
MagnaChip 数据表

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

EAR99

Unknown

Unknown

功率MOSFET

超级交界处

Enhancement

1

700

±30

4

3.2

100

1

1400@10V

11@10V

11

312@25V

33000

21

20

33

9

-55

150

通孔

6.22(Max)

2.39(Max)

6.73(Max)

3

Tab

TO-251

IPAK

通孔

Tube

活跃

3

Single

N