类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 引脚数量 | 参考标准 | JESD-30代码 | 资历状况 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 产品类别 | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 场效应管特性 | 漏源电阻 | 通态电阻 | 产品类别 | 直径 | 辐射硬化 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BSS84AKMB,315 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8541.29.00.95 | 有 | Unknown | Unknown | 小信号 | TMOS | Enhancement | 1 | 50 | 20 | 2.1 | 0.23 | 10000 | 1 | 7500@10V | 0.26@5V | 24@25V | 715 | 25 | 11 | 48 | 13 | -55 | 150 | 表面贴装 | 0.36(Max) | DFN-B | 3 | 1 | 0.6 | Compliant | EAR99 | 卷带 | 活跃 | 3 | Single | P | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSC884N03MSGATMA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4.5@10V | EAR99 | 符合免除 | 2500 | 7.2 | 6.8 | 16 | 13 | -55 | 150 | 表面贴装 | 1 | 5.9 | 5.15 | 8 | SON | TDSON EP | No Lead | 2700@15V | 17 | ±20 | 30 | 1 | Enhancement | OptiMOS | 功率MOSFET | 无 | 无 | 卷带 | Obsolete | 8 | 单四漏三源 | N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSS192PE6327NT | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 | Unknown | 小信号 | Enhancement | 1 | 250 | ±20 | 0.19 | 12000@10V | 4.9@10V | 4.9 | 83@25V | 1000 | 50 | 5.2 | 72 | 4.7 | -55 | 150 | 表面贴装 | 1.5 | 2.5 | 4.5 | 3 | Tab | SOT | SOT-89 | Flat | Non-Compliant | 不合规 | EAR99 | 8541.21.00.95 | 有 | 卷带 | Obsolete | 4 | 单排双泄 | P | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DIT100N10 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 符合免除 | EAR99 | 8541.29.00.95 | 有 | 无 | 无 | 功率MOSFET | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | 4 | 100 | 100 | 1 | 13@10V | 85@10V | 85 | 4800@50V | 200000 | 55 | 50 | 40 | 15 | -55 | 175 | Commercial | 通孔 | 8.7 | 4.5 | 10.1 | 3 | Tab | TO-220AB | Tube | 活跃 | 3 | Single | N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DIT120N08 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 无 | 无 | 功率MOSFET | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 120 | 6@10V | 163@10V | 163 | 6500@25V | 220000 | 39 | 24 | 91 | 26 | -55 | 175 | Commercial | 通孔 | 8.7 | 4.5 | 10.1 | 3 | Tab | TO-220AB | 符合免除 | EAR99 | 8541.29.00.95 | 有 | Tube | 活跃 | 3 | Single | N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MTP3055E | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 150@10V | 65(Max) | 60(Max) | 65(Max) | 20(Max) | -65 | 150 | 通孔 | 3 | Tab | TO-220 | TO-220AB | 不合规 | EAR99 | 8541.29.00.95 | 无 | 无 | 功率MOSFET | Enhancement | 1 | 60 | ±20 | 12 | 12@10V | 12 | 500(Max)@25V | 40000 | Obsolete | 3 | Single | N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DIT195N08 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Enhancement | 1 | 85 | ±20 | 195 | 4.95@10V | 140@10V | 140 | 7600@25V | 300000 | 78 | 124 | 84 | 23 | -55 | 150 | Commercial | 通孔 | 8.7 | 4.5 | 10.1 | 3 | Tab | TO-220AB | 符合免除 | EAR99 | 8541.29.00.95 | 无 | 无 | 功率MOSFET | Cardboard|Tube | 活跃 | 3 | Single | N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BSC079N03SGXT | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8 | 7.9@10V | ±20 | 14.6 | 13@5V | 1680@15V | 2800 | No Lead | TDSON EP | SON | 8 | 5.15 | 5.9 | 1 | 表面贴装 | 150 | -55 | 5.1 | 21 | 4.2 | 3.4 | 1 | 30 V | Compliant | Compliant | EAR99 | 无 | 无 | 功率MOSFET | OptiMOS | Enhancement | 1 | 30 | 卷带 | Obsolete | 150 °C | -55 °C | 40 A | 8 | 单四漏三源 | 2.8 W | 4.2 ns | 30 V | 14.6 A | 20 V | 1.68 nF | N | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DIT150N03 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 3@10V | Commercial | 175 | -55 | 26 | 91 | 24 | 39 | 130000 | 5000@25V | 38 | 38@10V | 150 | ±20 | 30 | 1 | Enhancement | 功率MOSFET | 无 | 无 | 有 | 8541.29.00.95 | EAR99 | 符合免除 | 通孔 | 8.7 | 4.5 | 10.1 | 3 | Tab | TO-220AB | Tube | 活跃 | 3 | Single | N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP000880732 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 符合免除 | 无 | 无 | 250 | 750000 | 活跃 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANTX2N6796 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 years ago) | 通孔 | 3 | 195@10V | 8 | 28.5(Max)@10V | 28.5(Max) | 650@25V | 25000 | 45(Max) | 75(Max) | 40(Max) | 30(Max) | -55 | 150 | Military | 通孔 | 4.54(Max) | 3 | TO-205-AF | TO-39 | 通孔 | 1 | Compliant | 不合规 | EAR99 | 8541.29.00.95 | 无 | 无 | 功率MOSFET | HEXFET | Enhancement | 1 | 100 | ±20 | Bulk | 活跃 | 150 °C | -55 °C | 3 | Single | 25 W | 100 V | 5 A | 20 V | 100 V | N | 180 mΩ | 200 mΩ | 9.22(Max) | 无 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
DIT095N08 | Diodes Incorporated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8@10V | Enhancement | 1 | 80 | ±20 | 95 | 109@10V | 109 | 6800@25V | 170000 | 15 | 12 | 56 | 18 | -55 | 175 | Commercial | 通孔 | 8.7 | 4.5 | 10.1 | 3 | Tab | TO-220AB | 符合免除 | EAR99 | 8541.29.00.95 | 有 | 无 | 无 | 功率MOSFET | Tube | 活跃 | 3 | Single | N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMD60R580PBRH | MagnaChip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 580@10V | -55C to 150C | ±30(V) | 1 | 无 | 8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080 | Non-Compliant | , | MMD60R580PBRH | MagnaChip Semiconductor Ltd | 活跃 | MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD | 1.5 | 符合免除 | EAR99 | 8541.29.00.95 | Unknown | Unknown | 功率MOSFET | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 8 | 18@10V | 18 | 575@25V | 70000 | 25 | 34 | 48 | DPAK | Tab | 2 | 6.73(Max) | 6.1 | 2.39(Max) | 表面贴装 | 150 | -55 | 14 | 8(A) | 600(V) | Military | DPAK | 卷带 | 活跃 | 功率MOSFET | unknown | 3 | N | Single | 70(W) | N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXFN80N60P3 | Littelfuse | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 符合免除 | EAR99 | 8541.29.00.95 | 有 | 有 | 无 | 无 | 功率MOSFET | HiperFET | Enhancement | 1 | 600 | ±30 | 66 | 77@10V | 190@10V | 190 | 13100@25V | 960000 | 8 | 25 | 87 | 48 | -55 | 150 | Screw | 9.6(Max) | 25.42(Max) | 38.23(Max) | 4 | SOT | SOT-227B | Screw | 活跃 | 4 | 单双源 | N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANTX2N6768 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 years ago) | 通孔 | NO | 2 | SILICON | 400@10V | 无 | JANTX2N6768 | ROUND | Microsemi Corporation | Obsolete | MICROSEMI CORP | 7.69 | TO-3 | 14 A | 通孔 | TO-3 | Tab | 2 | 39.37(Max) | 25.53(Max) | 7.74(Max) | 通孔 | Military | 150 | -55 | 35(Max) | 170(Max) | 190(Max) | 130(Max) | 150000 | 110(Max) | 110(Max)@10V | 14 | ±20 | 400 | 1 | Enhancement | 功率MOSFET | 无 | 无 | 8541.29.00.95 | EAR99 | 不合规 | 8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080 | 1 | Compliant | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | FLANGE MOUNT | METAL | 未说明 | Bulk | e0 | 无 | 活跃 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150 °C | -55 °C | 8541.29.00.95 | BOTTOM | PIN/PEG | 未说明 | not_compliant | 3 | MIL-19500 | O-MBFM-P2 | Qualified | Single | 增强型MOSFET | 150 W | DRAIN | SWITCHING | 400 V | N-CHANNEL | 9 A | TO-204AA | 20 V | 0.3 Ω | 400 V | 56 A | 400 V | N | 700 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 300 mΩ | 300 mΩ | 无 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR320BTM | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 2 | SILICON | 1750@10V | DPAK-3 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | IRFR320BTM | RECTANGULAR | Rochester Electronics LLC | 1 | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.12 | TO-252 | 3.1 A | 符合免除 | EAR99 | 8542.31.00.01 | 有 | 有 | 无 | 无 | 功率MOSFET | DMOS | Enhancement | 1 | 400 | ±30 | 3.1 | 14@10V | 14 | 460@25V | 2500 | 35 | 35 | 35 | 10 | -55 | 150 | 表面贴装 | 2.39(Max) | 6.22(Max) | 6.73(Max) | 2 | Tab | TO-252 | DPAK | 卷带 | e3 | 有 | Obsolete | 哑光锡 | SINGLE | 鸥翼 | 260 | unknown | 3 | R-PSSO-G2 | COMMERCIAL | Single | 增强型MOSFET | DRAIN | SWITCHING | N-CHANNEL | TO-252 | 1.75 Ω | 12.4 A | 400 V | N | 240 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MDIS1501TH | MagnaChip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 5.6@10V | , | 未说明 | 有 | MDIS1501TH | MagnaChip Semiconductor Ltd | 活跃 | MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD | 5.73 | Compliant | EAR99 | 8541.29.00.95 | Unknown | Unknown | 功率MOSFET | TMOS | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 2.7 | 25.1 | 100 | 1 | 20.7@10V|[email protected] | 20.7 | 1350@15V | 6200 | 8.6 | 12.2 | 29.5 | 8.8 | -55 | 150 | 通孔 | 6.22(Max) | 2.39(Max) | 6.73(Max) | 3 | Tab | TO-251 | IPAK | 通孔 | Tube | 活跃 | 未说明 | unknown | 3 | Single | N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MDD1502RH | MagnaChip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 8.5@10V | 有 | MDD1502RH | MagnaChip Semiconductor Ltd | 活跃 | MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD | 5.73 | Compliant | EAR99 | 8541.29.00.95 | Unknown | Unknown | 功率MOSFET | TMOS | Enhancement | 1 | 30 | ±20 | 2.7 | 20.4 | 100 | 1 | 14.3@10V|[email protected] | 14.3 | 928@15V | 6200 | 8.1 | 12 | 22.8 | 7.2 | -55 | 150 | 表面贴装 | 2.39(Max) | 6.1 | 6.73(Max) | 2 | Tab | TO-252 | DPAK | Gull-wing | 未说明 | 卷带 | 活跃 | 未说明 | unknown | 3 | Single | N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTP80N075L2 | Littelfuse | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | TO-220-3 | TO-220 | - | - | 80A | 75 V | 2.5 V | 357 W | N-Channel | + 150 C | - 20 V, + 20 V | - 55 C | 通孔 | 103 nC | 24 mOhms | 80 A | 符合免除 | EAR99 | 有 | 有 | 无 | 无 | 功率MOSFET | Enhancement | 1 | 75 | ±20 | 4.5 | 80 | 100 | 5 | 24@10V | 103 | 3600@25V | 357000 | 12 | 35 | 40 | 15 | -55 | 150 | 通孔 | 9.15(Max) | 4.83(Max) | 10.66(Max) | 3 | Tab | 活跃 | Si | 3 | Single | 1 Channel | 357W | N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IXTY4N65X2-TRL | Littelfuse | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | TO-252-3 | 850 mOhms | 4 A | 功率MOSFET | 无 | 无 | EAR99 | Compliant | Enhancement | 1 | 650 | ±30 | 5 | 4 | 100 | 5 | 850@10V | 455@25V | 80000 | 25 | 28 | 57 | 22 | -55 | 150 | 表面贴装 | 2.4(Max) | 6.22(Max) | 6.73(Max) | 2 | Tab | DPAK | 650 V | 3 V | 80 W | N-Channel | + 150 C | - 30 V, + 30 V | - 55 C | SMD/SMT | 卷带 | 活跃 | Si | 3 | Single | N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRHNJ63C30SCS | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 供应商未确认 | 出口接触方式 | 无 | 无 | 3.4 | 750000 | 表面贴装 | 2.61(Max) | 10.28(Max) | 7.64(Max) | 3 | SMD-0.5 | 活跃 | 3 | N | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
COM-10349 | SparkFun | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 通孔 | TO-220-3 | TO-220 | 70@10V | SparkFun Electronics | 33 | 1100@25V | 120000 | 90 | 185 | 30 | 18 | -55 | 175 | Bulk | COM-10 | 27A (Tc) | 10V | 120W (Tc) | 活跃 | 0.073600 oz | 1 | SparkFun Electronics | SparkFun | Compliant | EAR99 | Unknown | Unknown | 功率MOSFET | DMOS | Enhancement | 1 | 60 | ±25 | 27 | 33@10V | -55°C ~ 175°C (TJ) | QFET™ | 活跃 | Supplies | MOSFET (Metal Oxide) | Single | P-Channel | 70mOhm @ 13.5A, 10V | 4V @ 250µA | 1400 pF @ 25 V | 43 nC @ 10 V | 60 V | ±25V | Accessories | P | - | SparkFun Accessories | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANTXVR2N7468U2 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 出口接触方式 | 无 | 无 | 活跃 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AOND62930 | Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-PowerSMD, Flat Leads | 8-DFN (5x6) | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 5.76 | Unknown | Unknown | Tape & Reel (TR) | AOND629 | 4.5A (Ta), 7A (Tc) | 活跃 | , | AOND62930 | Alpha & Omega Semiconductor | 活跃 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR LTD | -55°C ~ 150°C (TJ) | AlphaSGT™ | 活跃 | MOSFET (Metal Oxide) | unknown | 2 N-Channel | 3.5W (Ta), 7.3W (Tc) | 68mOhm @ 5A, 10V | 2.8V @ 250µA | 415pF @ 50V | 12nC @ 10V | 100V | Standard | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MMIS70R1K4PTH | MagnaChip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | EAR99 | Unknown | Unknown | 功率MOSFET | 超级交界处 | Enhancement | 1 | 700 | ±30 | 4 | 3.2 | 100 | 1 | 1400@10V | 11@10V | 11 | 312@25V | 33000 | 21 | 20 | 33 | 9 | -55 | 150 | 通孔 | 6.22(Max) | 2.39(Max) | 6.73(Max) | 3 | Tab | TO-251 | IPAK | 通孔 | Tube | 活跃 | 3 | Single | N |
BSS84AKMB,315
Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BSC884N03MSGATMA1
Infineon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BSS192PE6327NT
Infineon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DIT100N10
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DIT120N08
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MTP3055E
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DIT195N08
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
BSC079N03SGXT
Infineon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DIT150N03
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
SP000880732
Infineon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
JANTX2N6796
Infineon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DIT095N08
Diodes Incorporated
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MMD60R580PBRH
MagnaChip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IXFN80N60P3
Littelfuse
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
JANTX2N6768
Infineon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRFR320BTM
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MDIS1501TH
MagnaChip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MDD1502RH
MagnaChip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IXTP80N075L2
Littelfuse
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IXTY4N65X2-TRL
Littelfuse
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
IRHNJ63C30SCS
Infineon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
COM-10349
SparkFun
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
JANTXVR2N7468U2
Infineon
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
AOND62930
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
MMIS70R1K4PTH
MagnaChip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
